單層MoS2光電探測器的制備和性能調(diào)控

　　二維過渡金屬硫化物(2D-TMDS)材料(如M0S2、WS2、SnS2> NbS2)具有優(yōu)異的光 學(xué)、電學(xué)、光電學(xué)、力學(xué)等性能，材料厚度為0.1?Inm,具有理想的半導(dǎo)體帶隙(1.5-2.1 eV),以及強(qiáng)烈的光-物質(zhì)相互作用，成為下一代微型、高靈敏度、高穩(wěn)定、透明性的光電 探測器的理想材料。

對(duì)單層MoS2光電探測器進(jìn)行氧等離子處理，氧等離子處理工藝是：將制備出的單層MoS2光電探測器放置于低溫氧等離子環(huán)境中，氧等離子體機(jī)的放電功率均設(shè)置為10 W, 通入氧氣后保證反應(yīng)腔體中壓力保持在25 Pa,處理時(shí)間2 s。

　　實(shí)驗(yàn)結(jié)論

　　通過氧等離子處理前后的拉曼、光致發(fā)光以及器件性能的變化分析了氧等離子處理的 原理。首先氧等離子處理前后拉曼光譜顯示兩個(gè)特征峰出現(xiàn)的位置沒有較大變化，僅是特 征峰強(qiáng)度均有較大地降低，這是因?yàn)檠醯入x子處理后，MoS2表面的缺陷位置被摻入氧原 子實(shí)現(xiàn)了缺陷位氧原子的化學(xué)吸附以及反應(yīng)生成多種Mo的氧化物，導(dǎo)致S-Mo之間的振 動(dòng)強(qiáng)度減??；其次，光致發(fā)光光譜顯示氧等離子體處理后特征峰的強(qiáng)度有較大的增加，這 是因?yàn)閾饺氲难踉酉喈?dāng)于對(duì)單層M0S2進(jìn)行p型摻雜，MoS2的n型半導(dǎo)體特性表明材 料內(nèi)部自由電子(n)數(shù)量大于空穴(p)數(shù)量，p型摻雜使得在材料在光激發(fā)作用下產(chǎn)生的電 子-空穴對(duì)(中性粒子)數(shù)量增加，激子數(shù)量增加使得光致發(fā)光強(qiáng)度增加。

　　氧等離子體處理不僅具有P型摻雜作用，也可以通過刻蝕襯底表面的作用而降低材料 的表面粗糙度。因此分析探測器輸出的電流增加的原因可能是氧等離子體處理可以很好地 去除掉在制備單層M0S2光電探測器過程中引入的有機(jī)雜質(zhì)。這些有機(jī)雜質(zhì)的存在增大了 M0S2的表面粗糙度，電流傳輸過程中載流子的散射現(xiàn)象增強(qiáng)從而降低了器件的電流傳輸效率